二硅化钛（TiSi₂）

半导体低阻接触与高温结构材料首选

产品概述

二硅化钛（TiSi₂）是一种深灰色金属间化合物，兼具低电阻率、高热稳定性与硅工艺兼容性，为超大规模集成电路、高温涂层、航空航天的核心功能材料。

核心卖点

• ✅ 超高纯度：99.5%–99.99%，低杂质（Fe＜10ppm），半导体级批次稳定。

• ✅ 超低电阻率：C54稳定相13–20 μΩ·cm，较多晶硅低10倍+，降阻提速显著。

• ✅ 热稳定性优：1540℃高熔点，900℃+无相变，适配高温沉积与热加工。

• ✅ 硅兼容性强：与Si热膨胀系数匹配，低势垒欧姆接触，界面应力小、附着力强。

• ✅ 耐磨抗氧化：高硬度（莫氏4–5），高温生成TiO₂-SiO₂复合钝化膜，抗腐蚀、耐冲刷。

• ✅ 多形态定制：粉体（0.8–10μm/纳米级）、靶材（致密度≥99%）、块材、薄膜可选。

化学物理性能

• 基本信息

◦ 化学式：TiSi₂

◦ CAS号：12039-83-7

◦ 分子量：104.07 g/mol

◦ 外观：深灰色/黑灰色金属光泽粉末

• 物理性能

◦ 熔点：1540℃

◦ 密度：4.02–4.39 g/cm³

◦ 电阻率：13–20 μΩ·cm（C54相，室温）

◦ 晶体结构：正交晶系（C54稳定相）

◦ 硬度：莫氏4–5，耐磨

◦ 热膨胀系数：与硅匹配（~8.5×10⁻⁶/K）

• 化学性能

◦ 抗氧化性：优，高温生成致密TiO₂-SiO₂保护膜

◦ 耐腐蚀性：耐稀酸/碱；溶于氢氟酸+硝酸混合液

◦ 热稳定性：1000℃惰性气氛稳定，900℃+由C49相转为C54相

应用领域

• 半导体制造：CMOS/DRAM/MOSFET栅极/源漏接触材料、铜互连阻挡层，降低接触电阻，提升芯片速度。

• 微电子/MEMS：薄膜电阻、微加热器、传感器电极，适配高集成、微型化器件。

• 高温防护：航空发动机、燃气轮机抗氧化涂层，耐受1200℃+高温燃气冲刷。

• 能源与科研：薄膜太阳能电池、红外反射镜、催化剂载体、纳米线前驱体。

产品规格

• 纯度：99.5%/99.9%/99.99%

• 粒径：0.8–10μm（标准）、纳米级（定制）

• 形态：粉体、溅射靶材（圆/方）、块材、薄膜

• 包装：10g/50g/100g/25kg，真空防潮包装

优势保障

• 采用高纯钛硅合成+真空热处理工艺，致密度≥99%。

• 全流程QC检测（XRD/SEM/ICP），确保纯度、粒径与相组成达标。