硅化镍（Ni₂Si / NiSi）

半导体接触与高效催化核心材料

产品概述

硅化镍（常见为 Ni₂Si、NiSi）是黑灰色金属间化合物，兼具低电阻率、高热稳定性、硅工艺强兼容性，为先进半导体、MEMS、催化、能源领域关键功能材料。

核心卖点

• ✅ 超高纯度：99.5%–99.99%，低杂质（Fe＜10ppm），半导体级批次稳定。

• ✅ 超低阻：NiSi相电阻率10.5–18 μΩ·cm，适配纳米节点器件，降阻提频显著。

• ✅ 热稳优异：Ni₂Si熔点1255℃，800℃+无相变，适配高温沉积与热加工。

• ✅ 硅兼容强：与Si热膨胀匹配，低势垒欧姆接触，界面应力小、附着力强。

• ✅ 高硬耐磨：高硬度，抗热震、耐冲刷，适配薄膜与涂层工况。

• ✅ 多形态定制：粉体（0.8–10μm/纳米）、靶材（致密度≥98%）、块材、薄膜可选。

化学物理性能

• 基本信息（Ni₂Si）

◦ 化学式：Ni₂Si

◦ CAS号：12059-14-2

◦ 分子量：145.47 g/mol

◦ 外观：黑灰色金属光泽粉末

• 物理性能

◦ 熔点：1255℃（Ni₂Si）；NiSi约950℃

◦ 密度：7.4 g/cm³（Ni₂Si）

◦ 电阻率：Ni₂Si 90–150 μΩ·cm；NiSi 10.5–18 μΩ·cm（室温）

◦ 晶体结构：正交晶系（Ni₂Si）

◦ 热膨胀系数：~14×10⁻⁶/K，与硅匹配

• 化学性能

◦ 抗氧化：中等，高温生成SiO₂钝化膜

◦ 耐腐蚀性：不溶于水；耐稀碱；溶于氢氟酸+硝酸混合液、王水

◦ 热稳定性：600℃空气稳定；800℃+惰性气氛稳定

应用领域

• 半导体制造：CMOS/DRAM/MOSFET 栅极/源漏接触层、铜互连阻挡层，降低接触电阻，提升芯片速度与可靠性。

• 微电子/MEMS：薄膜电阻、微加热器、传感器电极，适配高集成、微型化器件。

• 催化能源：加氢/脱氢催化剂载体、电池电极材料、光催化助剂。

• 高温涂层：航空、燃气轮机抗氧化耐磨涂层，耐受1000℃+工况。

产品规格

• 纯度：99.5%/99.9%/99.99%

• 粒径：0.8–10μm（标准）、纳米级（定制）

• 形态：粉体、溅射靶材（圆/方）、块材、薄膜

• 包装：10g/50g/100g/25kg，真空防潮包装

优势保障

• 采用高纯镍硅合成+真空热处理工艺，致密度≥98%。

• 全流程QC检测（XRD/SEM/ICP），确保纯度、粒径与相组成达标。

• 提供技术支持+定制服务，适配不同场景需求。