二硅化钛（TiSi₂）

低阻导电 · 硅基兼容 · 高温稳定 · 半导体/微电子/高温涂层核心材料

金属间化合物，兼具超低电阻率、硅晶格匹配、高温热稳、耐蚀耐磨四大核心优势，是超大规模集成电路、先进电子器件、航空高温涂层的关键材料。

一、基础信息

项目 参数 

产品名称 二硅化钛（硅化钛） 

化学式 TiSi₂ 

CAS号 12039-83-7 

分子量 104.07 

外观 黑灰色/深灰色金属光泽粉末 

晶型 正交晶系（稳定C54相+亚稳C49相） 

纯度 ≥99%（可定制99.9%/99.99%） 

粒度 D50：0.8–10 μm（支持超细/定制） 

二、核心物理指标（官网标准）

• 熔点：1540℃ 高温稳定，适配中高温工况

• 密度：4.02–4.39 g/cm³ 轻质高强，兼顾强度与轻量化

• 电阻率（20℃）：C54相12–20 μΩ·cm（超低阻，接近金属）；C49相60–70 μΩ·cm

• 热导率：约35 W/(m·K) 高导热，散热均匀稳定

• 热膨胀系数：12×10⁻⁶ /K 与硅高度匹配，界面应力小

• 莫氏硬度：4–5 适中硬度，易加工、抗刮擦

• 热稳定温度：900℃（硅衬底稳定），1000℃内抗氧化性良好

三、关键化学指标（高纯级杂质上限，wt%）

• 钛（Ti）：≥60.0（主含量）

• 硅（Si）：≥39.5（主含量）

• 碳（C）：≤0.05

• 氧（O）：≤0.10

• 铁（Fe）：≤0.03

• 铝（Al）：≤0.02

• 钙（Ca）：≤0.01

• 镁（Mg）：≤0.01

• 镍（Ni）：≤0.01

• 铬（Cr）：≤0.01

化学稳定性：不溶于水、稀酸、浓酸；仅溶于氢氟酸+硝酸混合液、熔融强碱；高温生成TiO₂+SiO₂复合钝化膜，抗氧化、抗腐蚀。

四、精炼卖点（官网直击，5条）

1. ⚡ 超低阻导电，微电子首选：C54相电阻率低至12–20 μΩ·cm，接近金属，大幅降低接触电阻、提升芯片运算速度，适配MOSFET/DRAM/CMOS器件。

2.