二硅化铁（FeSi₂）

直接带隙半导体 · 硅基兼容 · 热电优值 · 光电子/热电/冶金核心材料

金属硅化物中罕见的直接带隙半导体，兼具1.5μm发光、高热电效率、硅晶格匹配、耐蚀稳定四大核心优势，是硅基光电子、热电转换、钢铁冶金的关键材料。

一、基础信息

项目 参数 

产品名称 二硅化铁（硅化铁） 

化学式 FeSi₂ 

CAS号 12022-99-0 

分子量 112.02 

外观 灰黑色金属光泽粉末/块体 

晶型 正交晶系（β相，稳定半导体相） 

纯度 ≥99%（可定制99.9%/99.99%） 

粒度 D50：1–15 μm（支持超细/定制） 

二、核心物理指标（官网标准）

• 熔点：1220–1360℃ 中高温稳定，适配热电/镀膜工况

• 密度：4.75–4.79 g/cm³ 轻质半导体，薄膜应力低

• 带隙（β相）：0.85–0.90 eV（直接带隙，1.5μm通信波段发光）

• 电阻率（20℃）：50–80 μΩ·cm 半导体级低阻，导电稳定

• 热导率：约15 W/(m·K) 低热导，适配热电保温需求

• 热膨胀系数：11.5×10⁻⁶ /K 与硅匹配，界面附着力强

• 莫氏硬度：6–7 高硬耐磨，抗刮擦变形

三、关键化学指标（高纯级杂质上限，wt%）

• 铁（Fe）：47.0–52.0（主含量）

• 硅（Si）：48.0–53.0（主含量）

• 碳（C）：≤0.05

• 氧（O）：≤0.10

• 铝（Al）：≤0.03

• 钙（Ca）：≤0.02

• 镁（Mg）：≤0.01

• 锰（Mn）：≤0.03

• 铬（Cr）：≤0.02

• 镍（Ni）：≤0.01

• 磷（P）：≤0.02

• 硫（S）：≤0.01

化学稳定性：干燥空气稳定；不溶于水、稀酸、浓酸；溶于氢氟酸+硝酸混合液；高温生成SiO₂钝化膜，抗氧化耐蚀。

四、精炼卖点（官网直击，5条）

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