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凌颢金属

一硅化五铜/硅化铜

2026-06-11
次

硅化铜(Cu₅Si)


半导体阻挡层、高效导电与催化材料


产品概述


硅化铜(Cu₅Si,硅化五铜)是银灰色至灰黑色金属间化合物,兼具高导电导热、低热膨胀、强电子迁移抑制,为先进半导体、微电子、催化、能源领域关键功能材料。


核心卖点


• ✅ 高纯稳定:98%–99.99%,低杂质,批次一致性好。


• ✅ 低阻高导:电阻率~20 μΩ·cm,热导率优,散热降阻双强。


• ✅ 抑迁移强:抑制铜电子迁移,作阻挡层,提升芯片可靠性。


• ✅ 热胀匹配:热膨胀系数低于纯铜,与硅/陶瓷适配,界面应力小。


• ✅ 耐磨耐蚀:高硬度,耐稀酸碱,致密稳定、寿命长。


• ✅ 多形态定制:粉体(1–20μm/纳米)、靶材、块材、薄膜可选。


化学物理性能


• 基本信息


◦ 化学式:Cu₅Si(硅化五铜)


◦ CAS号:12159-07-8


◦ 分子量:345.82 g/mol


◦ 外观:银灰色/灰黑色金属光泽粉末/结晶


• 物理性能


◦ 熔点:825℃


◦ 密度:7.7–7.8 g/cm³


◦ 电阻率:~20 μΩ·cm(室温)


◦ 晶体结构:正交晶系


◦ 热膨胀系数:~10×10⁻⁶/K(低于纯铜)


◦ 硬度:高,耐磨


• 化学性能


◦ 抗氧化:常温稳定;>600℃缓慢氧化生成CuO+SiO₂


◦ 耐腐蚀性:不溶于水;耐稀酸/稀碱;溶于氢氟酸+硝酸混合液


◦ 热稳定性:400℃以下空气稳定;惰性气氛700℃+稳定


应用领域


• 半导体制造:铜互连扩散阻挡层、钝化层,抑制电子迁移,保护芯片,提升可靠性。


• 微电子/MEMS:薄膜电阻、电极、微加热器,适配高集成、微型化器件。


• 催化工业:有机硅单体合成主催化剂,高效生成二甲基二氯硅烷。


• 能源与精密制造:薄膜太阳能电池、红外电极、耐磨轴承/齿轮涂层。


产品规格


• 纯度:工业级98%、电子级99.5%、高纯级99.9%/99.99%


• 粒径:1–20μm(标准)、纳米级(定制)


• 形态:粉体、溅射靶材(圆/方)、块材、薄膜


• 包装:10g/50g/100g/25kg,真空防潮包装


优势保障


• 采用高纯铜硅合成+真空热处理工艺,致密度≥98%。


• 全流程QC检测(XRD/SEM/ICP),确保纯度、粒径与相组成达标。


• 提供技术支持+定制服务,适配不同场景需求。



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