二硅化钽粉体 TaSi₂ 硅化钽 高熔点导电硅化物 半导体薄膜 高温涂层 科研实验粉体

产品简介

二硅化钽（TaSi₂）为灰黑色六方晶体粉末，属于难熔金属硅化物。具备优良金属导电导热性能，熔点高，高温环境表面形成二氧化硅保护层，抗氧化、耐腐蚀，热稳定性优异，与硅基、碳基基体相容性良好。可用于半导体薄膜、高温防护涂层、金属陶瓷复相材料、磁控溅射靶材原料，适配高校实验室、新材料研发机构、特种电子材料企业配方研发。

分子式TaSi₂

CAS：12039‑79‑1

熔点2200℃

密度9.14g/cm³

供货纯度99‑99.9%，微米、亚微米粒度可协商定制。

产品特点

粉体颗粒分布均匀，严格管控杂质，批次性能稳定

导电导热表现优异，电阻率低，适合导电功能相使用

高熔点，高温可生成自防护氧化膜，耐蚀抗氧化

和硅、碳类基体相容性好，适合复相体系改性

支持小样测试，纯度、粒度指标可沟通调整

小样、小批量、大批量均可供货

 性能说明

二硅化钽热膨胀系数稳定，硬度较高，不溶于水，耐普通酸碱介质腐蚀，可被氢氟酸混合酸侵蚀。常作为导电增强相添加至陶瓷与合金基体，改善材料导电与高温服役性能，适配热压、常压烧结等多种烧结工艺。 

应用范围

半导体电子材料：集成电路薄膜、扩散阻挡层、导电薄膜、磁控溅射靶材原料

高温防护涂层：钽基构件、难熔零部件抗氧化保护层，航空热端部件防护

复相金属陶瓷：作为增强改性相，制备耐高温导电复相陶瓷、金属陶瓷坯体

高温电热元件：高温导电元器件、电阻材料制备

科研实验：高校、研发机构用于硅化物合成、烧结工艺、新材料配方研

采购须知

本产品支持小样试样，下单前可确认纯度、粒径等技术指标。产品建议密封存放于干燥阴凉环境，减少长期空气接触。需要技术资料、样品以及报价，可联系客服咨询。