二硅化铬 CrSi₂ | 官网可视化详情页（适配网站模块、卡片排版、图文搭配）

【头部主标题+宣传语】

二硅化铬（CrSi₂）

中温高稳 · 低阻低漂移 · 优异热电性能 · 半导体&高温工业专用硅化物

综合性能均衡的金属硅化物，兼具导电、耐磨、耐蚀、热电多重优势，广泛应用于先进电子制程、航空高温涂层、余热热电等领域。

【核心卖点栏（三栏卡片式，首页/产品列表通用）】

卖点1｜高温抗氧化 工况适应性强

1475℃高熔点，1000℃以内抗氧化性能优异，表面形成致密氧化保护膜，抗热震、不易开裂，适配各类中高温连续作业场景。

卖点2｜电学性能稳定 电子级优选

低电阻率搭配超低电阻温度系数，阻值漂移小、可靠性高，与硅基材料晶格匹配，是薄膜电阻、扩散阻挡层、MEMS器件理想原料。

卖点3｜耐蚀耐磨 综合物性出色

常温耐水、稀酸、浓酸及王水腐蚀，硬度高、耐磨性佳；同时具备优秀热电转换能力，兼顾结构材料与功能材料双重属性。

【基础信息模块（参数表格，详情页标准排版）】

项目 技术参数 

产品名称 二硅化铬 

化学式 CrSi₂ 

CAS号 12018-09-6 

分子量 108.17 

外观 灰黑色粉末，带有金属光泽 

晶体结构 六方晶系 

常规纯度 ≥99%（可定制99.9%、99.99%高纯规格） 

常规粒度 D50：1–10 μm（支持超细、粗颗粒定制） 

【物理性能模块（分栏卡片，醒目展示）】

物理性能

• 密度：4.39 g/cm³  轻质低密，利于产品轻量化设计

• 熔点：1475 ℃  中高温区间热稳定性优秀

• 电阻率：20~50 μΩ·cm  低电阻，导电性能优异

• 热导率：19 W/(m·K)  导热均匀，散热稳定

• 热膨胀系数：7.5×10⁻⁶ /℃  低热胀系数，高温尺寸不变形

• 显微硬度：11 GPa  高硬度，耐磨抗刮

• 电阻温度系数：±5~50 ppm/℃  阻值超低漂移，电子元件高可靠

• 禁带宽度：0.35 eV  p型窄带隙半导体，热电转化效率高

【化学性能模块（独立区块）】

化学性能

1. 耐腐蚀性：常温下不溶于水、稀酸、浓盐酸、浓硫酸及王水，仅可被氢氟酸溶解，耐化学侵蚀能力突出。

2. 高温稳定性：1000℃以内化学性质稳定，高温环境下生成致密二氧化硅钝化膜，具备自保护效果。

3. 反应特性：常温不与强碱、弱腐蚀介质发生反应；高温环境下与碳、氮气反应温和，不易劣化。

4. 界面相容性：与单晶硅、二氧化硅基底适配性极佳，附着力强，适合制备各类功能薄膜。

【五大核心优势（短句标语，可做侧边栏/标签）】

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